Модуль пам`ятi SO-DIMM 2x32GB/5600 DDR5 Kingston Fury Impact (KF556S40IBK2-64)
- Код товару: 264786403
- Знайшли дешевше?
Якщо ви знайшли цей товар дешевше - повідомте нас про це!
Характеристики
- Тип пам'яті
- Форм-фактор
- Застосування
- Обсяг пам'яті
- Кількість планок
- Загальний обсяг пам'яті
- Стандарт пам'яті
- Лінійка пам'яті
- Частота пам'яті
- Мінімальний час затримки сигналу (CAS Latency)
Опис товару
KingstonВиробникЗ чудовою швидкістю, функцією Plug N Play, подвоєною з 16 до 32 кількістю банків та подвоєною з 8 до 16 довжиною пакета Kingston FURY Impact DDR5 ідеально підходить для геймерів та ентузіастів, яким потрібна висока на платформах наступного покоління. Збільшуючи швидкість, місткість та надійність, Kingston FURY Impact DDR5 пропонує цілий арсенал розширених функцій, таких як ECC на кристалі (ODECC) для підвищення стабільності на екстремальних швидкостях, два 32- бітних підканала для підвищення ефективності та інтегрована в модуль схема управління живленням (PMIC), що забезпечує контроль та підстроювання напруг безпосередньо на модулі пам’яті.
При грі в найекстремальніших умовах, при стрімінгу у форматі 4K і вище або при серйозній анімації та 3D-рендерингу, Kingston FURY Impact DDR5 – це наступне підвищення рівня, при якому ідеально поєднуються стиль та продуктивність. Крім того, Kingston FURY Impact DDR5 отримала сертифікат Intel XMP 3.0 та Certified, що означає, що користувачі можуть розраховувати на простий, стабільний та сертифікований розгін. Особливості: Висока продуктивність: Пам’ять DDR5 на 50% швидше, ніж DDR4, що додає продуктивності в іграх, рендері та багатозадачних середовищах. Підтримка технології автоматичного розгону Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 підтримує автоматичний розгін до максимальної частоти, зазначеної у специфікаціях. Сертифікація Intel XMP 3.0: Підвищення продуктивності пам’яті з попередньо оптимізованими таймінгами, швидкістю та напругою живлення для розгону. Нижче енергоспоживання, вища ефективність: Зниження тепловиділення та підвищення ефективності системи завдяки низькій напрузі живлення пам’яті Impact DDR5 1.1 В. Підвищена стабільність при розгоні: Корекція помилок на кристалі (On-die ECC, ODECC) допомагає забезпечити цілісність даних при розгоні пам’яті для підвищення її продуктивності.